這其實很不容易，智云半導(dǎo)體最開始的WZ2000系列芯片，性能上還落后了英特爾大概兩代，后續(xù)則是持續(xù)追趕，而在今年則是實現(xiàn)了趕超！
而這種趕超，除了芯片設(shè)計領(lǐng)域的努力外，也離不開智云微電子的努力，他們在十二納米工藝上，把漏電率控制的更好，能夠在同等晶體管密度下，同等功耗下，把主頻拉的更高，也就是性能更高。
采用這一技術(shù)制造出來的WZ6000系列芯片，在性能上具有天然優(yōu)勢！
當(dāng)然，這也和英特爾那邊在先進(jìn)工藝技術(shù)上的推進(jìn)不順利，智云和臺積電都開始玩十納米工藝了，而英特爾只能在十四納米工藝上修修改改。
但是在十四納米工藝的技術(shù)改良上，他們對比智云微電子的十四納米工藝技術(shù)改良，多少還是有一些差距的。
尤其是在漏電率這一關(guān)鍵指標(biāo)上。
智云微電子在這一領(lǐng)域的技術(shù)積累是非常雄厚的，從二十八納米時代開始，就一直領(lǐng)先于其他半導(dǎo)體廠商，當(dāng)年的28LP工藝可是當(dāng)時最優(yōu)秀的低功耗工藝。
低功耗怎么來的？就是依靠漏電率的降低地帶來的。
后續(xù)智云微電子在十八納米工藝，十四納米工藝上進(jìn)一步改良，尤其是在3D晶體管上做了很多文章。
等到了十二納米工藝時期，可以說智云微電子在芯片制造領(lǐng)域的漏電率控制上已經(jīng)取得了非常大的成就，比英特爾那邊更靠譜。
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