目前智云集團旗下的智云儲存的HBM3高帶寬內存，也就是APO6000顯卡上使用的內存，就是采用這一工藝制造。
智云集團旗下的S系列手機，如去年發布的S20MaxPro旗艦級，上面采用的LPDDR5內存芯片，也是采用這一工藝……智云儲存旗下的LPDDR5高性能高速內存，也是目前最頂級的低功耗內存，性能甚至超過了四星的LPDDR5內存產品。
其原因就是來源于代工生產LPDDR5內存的智云微電子，其10C工藝的所提供的卓越性能。
現在的10C工藝，依舊是目前量產工藝里的頂級工藝，當然，已經無法大幅度領先對手了。
因為四星半導體，鎂光，海力士都已經陸續追上來并擁有了該級別工藝……他們的同級別工藝有好有壞，但是整體處于同一級別，區別不是很大。
現在，智云微電子在內存工藝領域里，已經是全力朝著更先進的10D工藝沖擊，其工藝節點為12納米。
智云微電子的內存芯片的工藝劃分，早期是采用30納米，25納米，20納米！
后來進入十納米工藝時代后，第一代采用10A工藝，實際工藝節點為18納米。
第二代10B工藝，實際工藝節點為16納米。
第三代10C工藝，實際工藝節點為14納米……這一代工藝開始，智云微電子開始采用EUV光刻機制造內存芯片的部分核心工序。
而第四代的10D工藝，實際工藝節點為12納米……
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