如智云半導體的十四納米工藝，其半金屬間距是四十三納米；而今年剛推向市場的等效十納米工藝，其半金屬間距是三十二納米。
正在研發當中，預計明年投產的等效七納米工藝，半金屬間距是二十七。
隔壁的臺積電以及四星，在各工藝節點上也差不多這個水準，有一些偏差，但是不會大。
而到了二十七納米這個半金屬間距，也就是等效七納米工藝這個工藝節點后，DUV浸潤式光刻機受限于分辨率的限制已經到了物理理論極限了，很難再往下繼續搞了，比如等效五納米工藝就很難搞……當然，也不是說不行，如果套刻精度能夠做到兩納米的程度，也能勉強高，但是成本會上天……
智云半導體以及對面的臺積電，其實都在嘗試用DUV浸潤式光刻機搞等效五納米工藝的芯片……嗯，就是嘗試把芯片的半金屬間距做到大概二十五納米的水準。
別看只是兩納米的半金屬工藝的提升，但是依舊是一道難以夸張的天塹，難得很。
所以別看都在搞，但實際上都對這一技術路線望而止步……用DUV浸潤式光刻機搞等效五納米的芯片，這個太扯淡了，從商業角度來看完全不值得。
所以這兩家芯片先進工藝的競爭對手，在使用DUV浸潤式光刻機制造等效五納米工藝這一技術路線上，都是雷聲大，雨點小……都在指望EUV光刻機呢。
至于四星和英特爾，他們就更慘了，他們連十納米工藝，嗯，也就是大概三十三半金屬工藝節點都還沒有搞出來呢。
等效七納米，遙遙無期……
其中的英特爾是受限于各種情況，技術推進非常不順利，只能在十四納米工藝上修修改改。
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